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Si5853CDC
Vishay Siliconix
MOSFET TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
0.30
0.25
0.20
I D = 2.5 A
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.15
125 °C
0.10
25 °C
1
0.05
0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
0. 8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
V SD - S o u r c e - t o - D r a i n V o l t a g e ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μ A
50
40
30
20
10
0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.0001 0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
10
1
0.1
Limited b y R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100 μ s
1 ms
10 ms
100 ms
1 s, 10 s
DC
T A = 25 °C
0.01
Single P u lse
B V DSS
Limited
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 69774
S10-0547-Rev. B, 08-Mar-10
www.vishay.com
5
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